graphene supermarket 1ML-2-LAYERS-GRAPH-SIO2-4P說明書
Two Layers of CVD Graphene Film on SiO2/Si Wafer: 4 pack
在SiO 2 / Si晶片上的兩層CVD石墨烯薄膜
石墨烯薄膜的特性：將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移 到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上 尺寸：1cmx1cm; 4包 將每個石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上 我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制 該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98％ 石墨烯薄膜是連續(xù)的，具有小孔和有機殘留物 每個石墨烯薄膜主要是單層（超過95％），偶爾有小的多層島（低于5％的雙層） 每個石墨烯膜是多晶的，即它由具有不同結(jié)晶取向的晶粒組成 沒有AB堆疊訂單。石墨烯膜相對于彼此隨機取向 薄層電阻：215-700Ω/平方
硅/二氧化硅晶片的特性：氧化層厚度：285nm 顏色：紫羅蘭色 晶圓厚度：525微米 電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米 型號/摻雜劑：P /硼 方向：<100> 前表面：拋光 背面：蝕刻
應(yīng)用：石墨烯電子和晶體管 導(dǎo)電涂料 航空航天工業(yè)應(yīng)用 支持金屬催化劑 微執(zhí)行器 MEMS和NEMS 化學(xué)和生物傳感器 基于石墨烯的多功能材料 石墨烯研究
我們的石墨烯薄膜使用PMMA輔助轉(zhuǎn)移方法制造。 有關(guān)詳細信息，請參閱以下參考。
學(xué)術(shù)參考/閱讀更多石墨烯生長 在銅箔上大面積合成高質(zhì)量和均勻的石墨烯薄膜科學(xué)2009年6月5日：Vol。324.沒有。5932，pp.1312 - 1314 石墨烯轉(zhuǎn)移 用于高性能透明導(dǎo)電電極的大面積石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移，Li et.al.，Nano Lett。，2009,9（12），pp 4359-4363 走向清潔和無裂縫轉(zhuǎn)移石墨烯Liang et.al.，ACS Nano，2011,5（11），pp 9144-9153 |
| SKU | 1ML -2- LAYERS-GRAPH-SIO2-4P | |
| 350.00美元 | ||
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